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电气电网(B-C)Ag0.5MAPbX3和AgMAPbX3钙钛矿结构中的单Ag原子扩散路径和过渡构型。同时，拟募钙钛矿材料还具有制备工艺简单，柔性扩展性好，价格成本低等优势，也给嵌入存储器在可穿戴设备和大规模工业应用提供了机会。
文献链接：资不智能装备制造Three-dimensionalperovskitenanowirearray–basedultrafastresistiveRAMwithultralongdataretention.Sci.Adv.2021,doi:10.1126/sciadv.abg3788.团队介绍：资不智能装备制造范智勇教授为香港科技大学电子与计算机工程系正教授博导，香港科大智能传感器与环境技术中心主任，材料表征中心副主任，粤港澳智能微纳光电技术联合实验室副主任，科技部先进显示与光电子技术国家重点实验室核心成员。在此之前，亿元用于研该研究组多次报道了多孔氧化铝膜(PAM)对于大幅提高钙钛矿纳米线的稳定性有重要作用。双杰范智勇教授团队近三年在光电纳米材料与器件领域工作汇总：新型阻变存储器：YutingZhang†,SwapnadeepPoddar†,HeHuang,LeileiGu,QianpengZhang,YuZhou,ShuaiYan,SifanZhang,ZhitangSong,BaolingHuang,GuozhenShen,ZhiyongFan*,Three-dimensionalperovskitenanowirearray–basedultrafastresistiveRAMwithultralongdataretention, ScienceAdvances,2021,7:eabg3788,DOI:10.1126/sciadv.abg3788.SwapnadeepPoddar,YutingZhang,LeileiGu,DaquanZhang,QianpengZhang,ShuaiYan,MatthewKam,SifanZhang,ZhitangSong,WeidaHu,LeiLiao,ZhiyongFan,Down-scalableandUltra-fastMemristorswithUltra-highDensityThree-dimensionalArraysofPerovskiteQuantumWires, NanoLetters,2021,21(12),5036-5044,DOI:10.1021/acs.nanolett.1c00834.SwapnadeepPoddar†,YutingZhang†,YiyiZhu,QianpengZhang,ZhiyongFan,Opticallytunableultra-fastresistiveswitchinginlead-freemethyl-ammoniumbismuthiodideperovskitefilm, Nanoscale,2021,13,6184-6191,DOI:10.1039/d0nr09234g.微纳光电器件：LeileiGu,SwapnadeepPoddar,YuanjingLin,ZhenghaoLong,DaquanZhang,QianpengZhang,LeiShu,XiaoQiu,MatthewKam,AliJavey,ZhiyongFan,Abiomimeticeyewithahemisphericalperovskitenanowirearrayretina, Nature,Volume581,278–282(2020).DOI:10.1038/s41586-020-2285-x.QianpengZhang,MohammadMahdiTavakoli,LeileiGu,DaquanZhang,LeiTang,YuanGao,JiGuo,YuanjingLin,Siu-FungLeung,SwapnadeepPoddar,YuFu,ZhiyongFan,Efficientmetalhalideperovskitelight-emittingdiodeswithsignificantlyimprovedlightextractiononnanophotonicsubstrates, Commun.,10,727 (2019).QianpengZhang,DaquanZhang,LeileiGu,Kwong-HoiTsui,SwapnadeepPoddar,YuFu,LeiShu,ZhiyongFan,Three-DimensionalPerovskiteNanophotonicWireArray-BasedLight-EmittingDiodeswithSignificantlyImprovedEfficiencyandStability, ACSNano,202014(2),1577-1585,DOI:10.1021/acsnano.9b06663YuFu,QianpengZhang,DaquanZhang,YunqiTang,LeiShu,andZhiyongFan,ScalableAll-evaporationFabricationofEfficientLight-EmittingDiodeswithHybrid2D-3DPerovskiteNanostructures, AdvancedFunctionalMaterials,Volume30,2020,2002913.DOI:10.1002/adfm.202002913.MohammadMahdiTavakoli1,ShaikMohammedZakeeruddin,MichaelGrätzel,ZhiyongFan,Large-GrainTin-RichPerovskiteFilmforEfficientSolarCellsviaMetalAlloyingTechnique, Mater.,30(11),1705998 (2018).微纳化学传感器件：ZhilongSong,WenhaoYe,ZhuoChen,ZhesiChen,MutianLi,WenyingTang,ChenWang,ZhuanWan,SwapnadeepPoddar,XiaolinWen,XiaofangPan,YuanjingLin,QingfengZhou,ZhiyongFan,WirelessSelf-PoweredHigh-PerformanceIntegratedNanostructured-Gas-SensorNetworkforFutureSmartHomes, ACSNano,2021,15,7659-7667,DOI:10.1021/acsnano.1c01256.YuanjingLin,JiaqiChen,MohammadMahdiTavakoli,YuanGao,YudongZhu,DaquanZhang,MatthewKam,ZhubingHe,ZhiyongFan,PrintableFabricationofaFullyIntegratedandSelf-PoweredSensorSystemonPlasticSubstrates, Adv.Mater.,31(5),1804285 (2018).JiaqiChen,ZhuoChen,FaridBoussaid,DaquanZhang,XiaofangPan,HuijuanZhao,AmineBermak,Chi-YingTsui,XinranWang,ZhiyongFan,Ultra-LowPowerSmartElectronicNoseSystemBasedonThree-DimensionalTin-OxideNanotubeArrays, ACSNano,12(6),6079–6088 (2018).。
目前用于制备Re-RAMs器件阻变层的材料主要为传统的金属氧化物，电气电网如NiOx,SiO2,Ta2O5,HfO2,CuOx，电气电网与此同时新型材料如二维材料，有机-无机杂化钙钛矿材料近年来也被广泛研究。其中，拟募MAPbI3具有超快阻变速度(200ps)，MAPbCl3器件具有超长保持时间(~7×109s)。
对此，资不智能装备制造采用氧化铝模包覆隔离的纳米线阵列作为阻变层能有效解决上述问题，在提高器件集成度的同时有效隔绝环境中的空气和水提高阻变层稳定性
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首先通过定向凝固(DS)技术，资不智能装备制造形成共晶高熵合金，资不智能装备制造这种合金内部形成了具有仿生鱼骨人字形的，这种结构与梯度结构类似，可以对裂纹的扩展造成多级换缓冲，大大迟缓了材料的过早失效。然而，亿元用于研有序相形成元素的过度合金化可能会导致形成结构上与拓扑封闭填充(TCP)基体不同的相，亿元用于研如σ相、μ相和Laves相，在粗糙的微观尺度上，由于失去了共格性，导致晶界上的不均匀分布。
